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台积电发力“硅基氮化镓”元件受托业务-中国足彩APP

2021-10-05 00:00:02
本文摘要:中国台湾台积电(TSMC)在ISPSD2016上公布发布了代为生产服务项目的宏伟蓝图及大批量生产元器件的特性等。

中国台湾台积电(TSMC)在ISPSD2016上公布发布了代为生产服务项目的宏伟蓝图及大批量生产元器件的特性等。该企业将应用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上组成GaN层的硅基氮化镓(GaNonSi)技术性生产GaN晶体三极管。  台积电想大力开展代为生产的GaN晶体三极管有三种种类:(1)开与关型(NormalOn)MISFET、(2)开与关型HEMT、(3)常关型(NormalOff)。按耐压高低来分为40V、100V和650V商品。

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  在其中,耐压650V的常关型HEMT已刚开始代为生产。台积电在演讲中解读了该元器件的特性。在经营时导通电阻器不容易提高的分裂(Collapse)特性层面,仅有所为经营前阻值的1.3~1.4倍。  除此之外,有关常关型HEMT,台积电将于二零一六年6月刚开始代为生产耐压100V的商品。

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有关开与关型HEMT,该企业预估从二零一六年10月刚开始代为生产耐压100V的商品。开与关型MISFET层面,预估从二零一六年6月刚开始代为生产耐压650V的商品和耐压100V的商品。  现阶段台积电构想用以直徑150mm的硅基板,未来还想用以更大容量的基板。

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该企业的演讲人答复,详细情况麻烦透露,三年后也许能够用以200mm(5.5英寸)基板。


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